设为首页收藏本站

开启辅助访问切换到窄版

点击获取下载券？

电力电子技术与新能源»论坛 › 电力电子技术 › 功率半导体器件(MOS,IGBT,SiC,GaN) › 电路设计

发新帖

查看: 107|回复: 0

[提问求助] 电路设计

[复制链接] TA的其它主题

2 主题	7 帖子	43 积分

Rank: 1

积分: 43

发消息

发表于 2024-10-8 09:59:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

mosfet在初始0.0几秒的时间内经历很大的电流波动，会损坏吗？

上一篇：大厂IGBT应用笔手册-英文版
下一篇：Status_of_the_Power_Electronics_Industry_2023

主题推荐

回复

使用道具举报

发新帖


18658270835


扫一扫，关注我们



关注微信公众号：电力电子技术与新能源

关注我们，每天有惊喜，每日有活动，扫描左边二维码，即可关注，你还在等什么？

|Archiver|手机版|小黑屋|电力电子技术与新能源

GMT+8, 2024-11-23 16:09 , Processed in 0.061612 second(s), 24 queries .

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表