设为首页收藏本站

开启辅助访问切换到窄版

点击获取下载券？

电力电子技术与新能源»论坛 › 电力电子技术 › 功率半导体器件(MOS,IGBT,SiC,GaN) › 如何调整碳化硅 MOSFET 驱动减少功率损耗 ...

发新帖

查看: 1640|回复: 0

如何调整碳化硅 MOSFET 驱动减少功率损耗

[复制链接] TA的其它主题

黑先生不胖

32 主题	54 帖子	291 积分

Rank: 3 Rank: 3

积分: 291

发消息

发表于 2020-4-22 21:26:15 | 显示全部楼层 |阅读模式

以怎样的方式驱动碳化硅MOSFET，以促进尽可能低的传导损耗和开关损耗，这
个文档给出了如何在应用中使用ST 1200 V 碳化硅MOSFET 的主要设计原则，以得到最佳性
能。

批注 2020-04-22 212509.jpg

碳化硅 MOSFET 驱动功率损耗.pdf

608.21 KB, 下载次数: 11, 下载积分: 下载券 -1

上一篇：SiC 栅极驱动器基础知识电子书
下一篇：碳化硅半导体材料与器件

主题推荐

回复

使用道具举报

发新帖


18658270835


扫一扫，关注我们



关注微信公众号：电力电子技术与新能源

关注我们，每天有惊喜，每日有活动，扫描左边二维码，即可关注，你还在等什么？

|Archiver|手机版|小黑屋|电力电子技术与新能源

GMT+8, 2024-11-22 00:42 , Processed in 0.086461 second(s), 27 queries .

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表