设为首页收藏本站

开启辅助访问切换到窄版

点击获取下载券？

电力电子技术与新能源»论坛 › 电力电子技术 › 功率半导体器件(MOS,IGBT,SiC,GaN) › MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制 ...

发新帖

查看: 2685|回复: 0

[资料分享] MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制

[复制链接] TA的其它主题

1034 主题	1133 帖子	7126 积分

Rank: 9 Rank: 9 Rank: 9

积分: 7126

发消息

发表于 2020-8-14 16:18:34 | 显示全部楼层 |阅读模式

MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制.pdf (1.45 MB, 下载次数: 13)

上一篇：Cree_Sic_mosfet_double_pulse_fixture
下一篇：看了这篇可以自己造，IGBT结构不再神秘！IGBT芯片的剖析 -...

主题推荐

回复

使用道具举报

发新帖


18658270835


扫一扫，关注我们



关注微信公众号：电力电子技术与新能源

关注我们，每天有惊喜，每日有活动，扫描左边二维码，即可关注，你还在等什么？

|Archiver|手机版|小黑屋|电力电子技术与新能源

GMT+8, 2024-11-24 12:16 , Processed in 0.088156 second(s), 27 queries .

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表