电力电子技术与新能源

 找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步,快速开始

查看: 2247|回复: 0

如何消除SiC MOSFET的门极振荡?

[复制链接] TA的其它主题

2

主题

16

帖子

80

积分

注册会员

Rank: 2

积分
80
发表于 2021-2-22 10:22:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
SiC MOSFET的驱动容易振荡,加磁珠,增大Rg,增加CGS就可以改善吗?




上一篇:模拟电子技术基础-童诗白第四版
下一篇:Heric拓扑无功控制策略
回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

关注微信公众号:电力电子技术与新能源
关注我们,每天有惊喜,每日有活动,扫描左边二维码,即可关注,你还在等什么?

QQ|Archiver|手机版|小黑屋|电力电子技术与新能源

GMT+8, 2024-11-16 13:54 , Processed in 0.058714 second(s), 24 queries .

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表