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电力电子技术与新能源»论坛 › 电力电子技术 › 功率半导体器件(MOS,IGBT,SiC,GaN) › MOS和IGBT关断特性研究
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[资料分享] MOS和IGBT关断特性研究

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烊烊的皮卡丘

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发表于 2022-8-26 09:34:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
非常实用的资料，大家一起研究。
半导体器件

MOSFET和IGBT关断特性及其对并联特性的影响_李贺龙.pdf

1.5 MB, 下载次数: 15, 下载积分: 下载券 -1





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