设为首页收藏本站

开启辅助访问切换到窄版

点击获取下载券？

电力电子技术与新能源»论坛 › 电力电子技术 › 功率半导体器件(MOS,IGBT,SiC,GaN) › 碳化硅器件挑战现有封装技术_曹建武

发新帖

查看: 547|回复: 0

[资料分享] 碳化硅器件挑战现有封装技术_曹建武

[复制链接] TA的其它主题

36 主题	149 帖子	386 积分

Rank: 3 Rank: 3

积分: 386

发消息

发表于 2023-1-28 12:41:17 | 显示全部楼层 |阅读模式

本帖最后由 s_h_zhou 于 2023-1-28 12:43 编辑

碳化硅器件挑战现有封装技术_曹建武

碳化硅器件挑战现有封装技术_曹建武.pdf

1.03 MB, 下载次数: 2, 下载积分: 下载券 -1

上一篇：一种基于物理的SiC_MOSFET改进电路模型_李鑫
下一篇：碳化硅器件封装进展综述及展望_杜泽晨

主题推荐

回复

使用道具举报

发新帖


18658270835


扫一扫，关注我们



关注微信公众号：电力电子技术与新能源

关注我们，每天有惊喜，每日有活动，扫描左边二维码，即可关注，你还在等什么？

|Archiver|手机版|小黑屋|电力电子技术与新能源

GMT+8, 2024-11-25 13:08 , Processed in 0.068352 second(s), 27 queries .

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表