463| 0
|
[项目供求] 国产第三代SiC碳化硅650V+40mΩ SiC MOSFET产品介绍TA的其它主题 |
上一篇:6.6 KW双向OBC碳化硅MOSFET替代超结的仿真计算 下一篇:具有数字接口的隔离式低延迟高 PWM 抑制霍尔电流检测参考... | ||
BASiC国产SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模块介绍
|
||
扫一扫,关注我们
关注微信公众号:电力电子技术与新能源 关注我们,每天有惊喜,每日有活动,扫描左边二维码,即可关注,你还在等什么? |
|Archiver|手机版|小黑屋|电力电子技术与新能源
( 苏ICP备2025155472号-1 )
GMT+8, 2025-4-3 10:21 , Processed in 0.058938 second(s), 27 queries .
Powered by Discuz! X3.4
© 2001-2017 Comsenz Inc.