泰科天润半导体科技(北京)有限公司(简称:GPT)是中国碳化硅(SiC)功率器件产业化的倡导者之一,国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造与应用解决方案提供商。 公司总部坐落于中国北京中关村东升科技园北领地内,拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂和目前国内唯一一条批量化面对市场的碳化硅器件生产线,是新材料半导体的龙头企业,是支撑高端制造业的新兴力量。 股权构成 GPT 2011年成立时资本1.2亿,2019年资本接近1.8个亿,多次获得市场和投资方的信赖,已计划在九江募资10个亿设立新的6寸碳化硅工厂,首期3个亿的资金已经到位,九江工厂预计2020年量产。除总经理陈彤控股约61%的股份外;主要股东还有上海遨问(投资GE /Sumsung / 上海科创/临港集团),拓金资本(投资了珠海银隆),北京市科委基金,三峡建信(三峡资本发起设立的基金),广发乾和(广发证券全资子公司),新材智/东升搏展科技发展基金等。 证书 *国家火炬计划产业化示范单位 *2013年取得ISO9001:2008证书 *2015年中关村高端领军人才 *2016年海淀区“海英人才” *2017年高新技术企业 *2018年IATF 16949:2016质量管理体系证书 *UL证书 ,CE证书,ROSH证书等 奖项 2017年中关村科技前沿集成电路领域TOP10 项目 SiC BJT 项目 (2014年 科委) SiC MOSFET 项目(2015年 科委) “十三五”项目 -“战略性先进电子材料”重点专项 碳化硅芯片产品系列(部分产品没有列举,不断有新品研发及量产) SiC JBS 650V: 2A/3A/4A/5A/6A/8A/10A/20A/30A/50A/80A/100A 1200V: 2A/5A/10A/15A/20A/40A/50A 1700V: 5A/10A/20A 3300V: 0.6A/1A/2A/3A/5A/50A SiC BJT/MOSFET SiC BJT: 1200V10A SiCMosfet: 650V/1200V/1700V 60-120mΩ SiC Module 650V/1200V 200A - 450A 1700V/200A - 300A 应用领域 开关模式电源(SMPS),功率因数校正(PFC) • 电机驱动,光伏逆变器,不间断电源, 风力发动机,列车牵引系统,电动汽车等。 泰科天润半导体科技(北京)有限公司技术先进,产品在碳化硅器件行业有比较大的知名度,可以按照客户的要求进行客制化生产,欢迎致电:张锦有 15814059616. QQ:1685952288.邮箱:zhangjy@globalpowertech.cn
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