电力电子技术与新能源

 找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步,快速开始

查看: 3146|回复: 1

怎么实现MOSFET/IGBT慢开快关?

[复制链接] TA的其它主题

1034

主题

1133

帖子

7124

积分

管理员

Rank: 9Rank: 9Rank: 9

积分
7124
发表于 2019-4-26 18:29:29 | 显示全部楼层 |阅读模式
怎么实现MOSFET/IGBT慢开快关?得明白为啥MOSFET/IGBT要慢开快关?

为了防止上下两个管子直通短路,将MOSFET/IGBT烧毁,那就要对上下两个管子的PWM波设置死区,死区产生的方法:有硬件产生也有软件产生!

最简单的就是利用二极管的单相导电性来实现

慢开快关1.png


慢开快关2.png

慢开快关3.png


还有硬件死区电路,可以利用逻辑门电路来实现
死区电路.png
死区电路1.png












上一篇:请教一下常见的高压采样电路原理?
下一篇:boost建模CCM_Mathcad
回复

使用道具 举报

0

主题

6

帖子

28

积分

新手上路

Rank: 1

积分
28
发表于 2020-5-31 19:47:40 | 显示全部楼层
学习了!
回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

关注微信公众号:电力电子技术与新能源
关注我们,每天有惊喜,每日有活动,扫描左边二维码,即可关注,你还在等什么?

QQ|Archiver|手机版|小黑屋|电力电子技术与新能源

GMT+8, 2024-11-21 21:39 , Processed in 0.065340 second(s), 26 queries .

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表