电力电子技术与新能源

 找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步,快速开始

查看: 2138|回复: 1

Driving IGBTs with unipolar gate voltage

[复制链接] TA的其它主题

1

主题

2

帖子

20

积分

新手上路

Rank: 1

积分
20
发表于 2020-1-9 16:12:44 | 显示全部楼层 |阅读模式
Introduction
Infineon recommends the use of negative gate voltage to safely turn-off
and block IGBT modules. In areas with nominal currents less than
100tA the negative gate voltage is often omitted for cost reasons. The
following paper describes special considerations for a unipolar drive of
IGBT modules.

Application Note_infi_Driving IGBTs with unipolar gate voltage.pdf

389.44 KB, 下载次数: 14, 下载积分: 下载券 -1





上一篇:MOSFET驱动电路的设计与仿真
下一篇:IGBT驱动与保护电路设计及应用电路实例
回复

使用道具 举报

0

主题

1

帖子

18

积分

新手上路

Rank: 1

积分
18
发表于 2023-1-28 13:34:41 | 显示全部楼层
好资料,谢谢分享
回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

关注微信公众号:电力电子技术与新能源
关注我们,每天有惊喜,每日有活动,扫描左边二维码,即可关注,你还在等什么?

QQ|Archiver|手机版|小黑屋|电力电子技术与新能源

GMT+8, 2024-11-24 08:15 , Processed in 0.068012 second(s), 26 queries .

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表