三相维也纳PFC使用Si和SiC器件的拓扑为什么有如下图的区别？

大师兄007 · 发表于 2020-1-15 07:43:40

如题，请教一下为什么SiC器件可以直接用三相桥替代Si的二极管和MOS的搭配方式，请大佬分析一下，谢谢！

大师兄007 · 发表于 2020-1-15 11:21:15

为啥没人呢

micro-grid · 发表于 2020-1-15 12:12:56

大师兄007 · 发表于 2020-1-16 07:55:34

micro-grid 发表于 2020-1-15 12:12

您好，替换是可以替换，我的疑问是为啥以前不直接使用2电平三相拓扑，以前就用6管2电平的损耗和维也纳的6个二极管+6管的损耗还小吧，为啥要在SiC普及以后才有这个替代关系呢？

micro-grid · 发表于 2020-1-16 08:52:11

大师兄007 发表于 2020-1-16 07:55
您好，替换是可以替换，我的疑问是为啥以前不直接使用2电平三相拓扑，以前就用6管2电平的损耗和维也纳的6 ...

了解一下SiC器件的优点，宽禁带半导体！

zhizun598 · 发表于 2020-3-6 08:46:59

如果需要器件及相关规格书的话，我可以帮忙。我是泰科天润半导体的，公司生产碳化硅功率器件，工厂在北京中关村东升科技园。张生Q1685952288.

dongzhaowen · 发表于 2020-4-8 10:10:31

SiC mosfet耐压比Si mosfet要高，SiC mosfet有耐压1200V的器件，这就解决了800V母线时普通Si mosfet不能用两电平的痛点。两电平简化了拓扑结构。

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