毕论：功率MOSFET封装热阻的分析及改进

huangfanqu

在广泛调研的基础上，本文对SO．8 MOSFET器件的封装热阻改进的原理、
设计、模拟、制备流程、测试进行了较全面的研究，以业界SO一8先进改进结构
为参考，提出来适合所在工厂的封装改进方案；对新的封装改进样品进行了抽样
热阻测试，实验结果显示该热设计方案是可行的，Rthja降低接近50％，Rthjc降
低了近70％。