SiC MOSFET 门极驱动设计指南

L1354714825 · 发表于 2020-7-27 13:58:39

近年來，寬能隙半導體 SiC 器件得到了廣泛重視與發展。 SiC MOSFET 與 Si MOSFET 在特
定的工作條件下會表現出不同的特性，其中重要的一環是 SiC MOSFET 在長期的門極電應力
下會產生閾值電壓 VGS(th)漂移現象。本文闡述了如何透過調整門極驅動的負電壓，來限制 SiC
MOSFET 閾值漂移的方法。

SiC MOSFET 門極驅動電壓應用指南.pdf (928.45 KB, 下载次数: 34)

wwh2588 · 发表于 2021-12-3 11:44:18

感谢分享！！！！！！

Richie_hope · 发表于 2022-1-13 17:19:18

感谢分享

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