设为首页收藏本站
开启辅助访问 切换到窄版

电力电子技术与新能源

 找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步，快速开始

点击获取下载券？
电力电子技术与新能源»论坛 › 电力电子技术 › 功率半导体器件(MOS,IGBT,SiC,GaN) › mos串联均压
返回列表 发新帖
查看: 1223|回复: 0

[资料分享] mos串联均压

[复制链接] TA的其它主题
pllan

11

主题

55

帖子

259

积分

中级会员

Rank: 3Rank: 3

积分
259
发表于 2022-3-5 09:19:55 | 显示全部楼层 |阅读模式
文章: Active_Gate_Drive_With_GateDrain_Discharge_Compensation_for_Voltage_Balancing_in_Series-Connected_SiC_MOSFETs

Active_Gate_Drive_With_GateDrain_Discharge_Compensation_for_Voltage_Balancing_in.pdf

7.78 MB, 下载次数: 1, 下载积分: 下载券 -1





上一篇：车用IGBT器件技术概述
下一篇：SiC MOSFET开断损耗Eoff

主题推荐
回复

使用道具 举报

返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

关注微信公众号：电力电子技术与新能源
关注我们，每天有惊喜，每日有活动，扫描左边二维码，即可关注，你还在等什么？

QQ|Archiver|手机版|小黑屋|电力电子技术与新能源 ( 苏ICP备2025155472号-1 )

GMT+8, 2025-3-15 01:40 , Processed in 0.052719 second(s), 28 queries .

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表