Coolmos的选择与优势

郑永辉

ool MOSFET的优点是：
1、通态电阻小，通态损耗小
   其大大提高了系统产品上面的单体MOSFET的导通损耗，提高了系统产品的效率，
   Cool MOSFET的这个优点在大功率、大电流类的电源产品产品上，优势表现的尤为突出

2、同等功率下封装小，有利于电源小型化
   同等功率规格下封装小，有利于功率密度的提高
3、栅极开启电压限高，抗干扰能力强

4、栅极电荷小，驱动功率小
    栅电荷小，对电路的驱动能力要求降低,驱动能力强
5、节电容小，开关速度加快，开关损耗小。
    对于频率固定的电源来说，可以有效的降低其开通及关断损耗。
    提高整个电源系统的效率。这一点尤其在频率相对较高的电源上，效果更加明显。
Cool MOSFET的缺点是：
1、热阻大，同等耗散功率下温升高
2、能通过的直流电流和脉冲电流小。
COOLMOS系统应用可能会出现的问题
1>            EMI可能超标。
由于SJ-MOS拥有较小的寄生电容，造就了超级结MOSFET具有极快的开关特性。因为这种快速开关特性伴有极高的dv/dt和di/dt，
会通过器件和印刷电路板中的寄生元件而影响开关性能。对于在现代高频开关电源来说，使用了超级结MOSFET，EMI干扰肯定会变大，
对于本身设计余量比较小的电源板，在SJ-MOS在替换VDMOS的过程中肯定会出现EMI超标的情况。

2>            栅极震荡。
功率MOSFET的引线电感和寄生电容引起的栅极振铃，由于超级结MOSFET具有较高的开关dv/dt。
其震荡现象会更加突出。这种震荡在启动状态、过载状况和MOSFET并联工作时，会发生严重问题，导致MOSFET失效的可能。

3>            抗浪涌及耐压能力差。
    由于SJ-MOS的结构原因，很多厂商的SJ-MOS在实际应用推广替代VDMOS的过程中，基本都出现过浪涌及耐压测试不合格的情况。
这种情况在通信电源及雷击要求较高的电源产品上，表现的更为突出。这点必须引起我们的注意。

4>            漏源极电压尖峰比较大。
        我司MOSFET目前使用的客户主要是反激的电路拓扑，由于本身电路的原因，变压器的漏感、散热器接地、以及电源地线的处理等问题，
不可避免的要在MOSFET上产生相应的电压尖峰。针对这样的问题，反激电源大多选用RCD SUNBER电路进行吸收。由于SJ-MOS拥有较快的开关速度，
势必会造成更高的VDS尖峰。如果反压设计余量太小及漏感过大，更换SJ-MOS后，极有可能出现VD尖峰失效问题。

5>            纹波噪音差。
由于SJ-MOS拥有较高的dv/dt和di/dt，必然会将MOSFET的尖峰通过变压器耦合到次级，直接造成输出的电压及电流的纹波增加。
甚至造成电容的温升失效问题的产生。